Investigating the electro-optical properties of non-stoichiometric silicon nitride thin films for photovoltaic applications.

11 November 2013

Abstract

English

The electro-optical properties of devices containing Si-rich silicon nitride (SRN) thin films, deposited by means of low-pressure chemical-vapor deposition (LPCVD), are studied. After optically evidencing the presence of defects in our films, a Poole-Frenkel conduction mechanism has been considered, which is in agreement with electrical experiments. We found that the poly-Si layer strongly modulates the electroluminescence and light absorption of the devices. In addition, they showed photocurrent and photoconductivity under illumination, SRN becoming a promising material for photovoltaic applications.

Español

Se han estudiado las propiedades electro-ópticas de dispositivos con capas delgadas de nitruro de silicio rico en silicio (SRN, de sus siglas en inglés), fabricadas mediante un depósito químico de vapor a baja presión (LPCVD). Después de la evidencia óptica de la presencia de defectos en dichas capas, se consideró un mecanismo de conducción del tipo Poole-Frenkel, de acuerdo con los experimentos eléctricos. Se observó que la capa de poli-Si modula fuertemente la electroluminiscencia y la absorción de luz de los dispositivos. Además, éstos mostraron fotocorriente y fotoconductividad bajo iluminación, lo que hace del SRN un material prometedor para aplicaciones fotovoltaicas.

Citation

Blázquez, O., López-Vidrier, J., Hernández, S., Montserrat, J. and Fernández, B.G., 2013. Investigating the electro-optical properties of non-stoichiometric silicon nitride thin films for photovoltaic applications. Optica pura y aplicada, 46(4), pp.309-314.

Categories: Solar & Photovoltaics

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